Компания Qualcomm официально анонсировала новейшую флагманскую однокристальную систему для мобильных устройств — Snapdragon 835.
Новая Snapdragon 835 будет производиться по нормам 10-нанометрового технологического процесса и обеспечит прирост производительности и эффективности в сравнении с предшественниками.
Самсунг Electronics передает о расширении сотрудничества в сфере микроэлектронного производства с Qualcomm Technologies — дочернем предприятии компании Qualcomm Incorporated, начавшееся около 10-ти лет назад.
Достоверные характеристики не представлены, но в настоящее время понятно, что новинка будет на 27% производительнее и на 40% снизится энергопотребление. В сравнении с 14-нм FinFET-чипами у 10-нм решений действенная площадь поверхности увеличена на 30%, работоспособность — на 27%, а энергопотребление снижено на 40%.
С применением новейшей технологии чип будет продуктивнее на 27%.
Североамериканская компания Qualcomm анонсировала свой 1-ый чип, изготавливаемый по 10-нм технологическим нормам. Пока о четких характеристиках неизвестно, но разработчик поведал о применении технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0, благодаря которой зарядка устройств ускорится в 2,5 раза. Уже в первой половине 2017 года можно ожидать выхода первых устройств с новым чипом. Правда, пока это скорее «бумажный» анонс, так как наверное всем известно крайне мало.
Qualcomm обещает, что всего пяти мин. зарядки хватит, чтобы смартфон проработал не менее пяти часов.
Следите за новостями в Telegram
👇 Поделитесь в вашей соцсети
RSS - Записи
Оставьте комментарий