Qualcomm поведала о Snapdragon 835 и новоиспеченной технологии Quick Charge 4

Компания Qualcomm официально анонсировала новейшую флагманскую однокристальную систему для мобильных устройств — Snapdragon 835.

Новая Snapdragon 835 будет производиться по нормам 10-нанометрового технологического процесса и обеспечит прирост производительности и эффективности в сравнении с предшественниками.

Самсунг Electronics передает о расширении сотрудничества в сфере микроэлектронного производства с Qualcomm Technologies — дочернем предприятии компании Qualcomm Incorporated, начавшееся около 10-ти лет назад.

Достоверные характеристики не представлены, но в настоящее время понятно, что новинка будет на 27% производительнее и на 40% снизится энергопотребление. В сравнении с 14-нм FinFET-чипами у 10-нм решений действенная площадь поверхности увеличена на 30%, работоспособность — на 27%, а энергопотребление снижено на 40%.

С применением новейшей технологии чип будет продуктивнее на 27%.

Североамериканская компания Qualcomm анонсировала свой 1-ый чип, изготавливаемый по 10-нм технологическим нормам. Пока о четких характеристиках неизвестно, но разработчик поведал о применении технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0, благодаря которой зарядка устройств ускорится в 2,5 раза. Уже в первой половине 2017 года можно ожидать выхода первых устройств с новым чипом. Правда, пока это скорее «бумажный» анонс, так как наверное всем известно крайне мало.

Qualcomm обещает, что всего пяти мин. зарядки хватит, чтобы смартфон проработал не менее пяти часов.